Минимальная энергия образования пары электрон дырка


Эта добавочная проводимость называется фотопроводимостью. Ширину щели принять ра и ной 0,10мм. Образование p - n перехода при контакте двух полупроводников — а и вольт-амперная характеристика p - n перехода — б.

Минимальная энергия образования пары электрон дырка

Эффект Зеебека, или термоэлектрический эффект заключается в том, что в замкнутой цепи, состоящей из двух различных полупроводников 1 и 2, места соединений которых находятся при различных температурах рисунок 9.

Большая термо-ЭДС полупроводников позволяет использовать их в качестве эффективных преобразователей тепловой энергии в электрическую. Напряженность внутреннего поля Е опз увеличивается, а ток основных носителей заряда уменьшается.

Минимальная энергия образования пары электрон дырка

Междолинное рассеяние носителей заряда в определенных условиях может приводить к возникновению колебаний тока с частотой порядка 10 10 Гц при приложении к однородному полупроводнику сильного постоянного электрического поля. Как правило, одна из областей легируется намного сильнее другой намного больше концентрация примеси.

Основная проводимость, обусловленная тепловым возбуждением носителей тока называется темновой проводимостью.

На основе этого эффекта разработаны приборы, генерирующие в диапазоне частот до сотен гигагерц. В результате такого рассеяния будет иметь место переброс электронов из одного минимума в другой минимум зоны проводимости.

Электронно-дырочный p-n переход. Из приведенных формул можно определить минимальную частоту n о или максимальную длину волны l о , при которой свет возбуждает фотопроводимость: Для получения наибольшего эффекта толщина пластины плёнки делается возможно меньшей.

На основе этого эффекта разработаны приборы, генерирующие в диапазоне частот до сотен гигагерц. Междолинное рассеяние носителей заряда в определенных условиях может приводить к возникновению колебаний тока с частотой порядка 10 10 Гц при приложении к однородному полупроводнику сильного постоянного электрического поля.

Фототок с энергией h n большей или равной ширине запрещенной зоны D W o переводит электроны из валентной зоны в зону проводимости. Такой вид рассеяния получил название междолинного. Как правило, одна из областей легируется намного сильнее другой намного больше концентрация примеси.

Эта добавочная проводимость называется фотопроводимостью. Полупроводники используются, в том числе, и в оптоэлектронных устройствах: Постоянная Холла зависит от температуры рисунок 9. Отогнув в сторону большой палец, найдем направление смещения основных носителей заряда для данного типа полупроводника.

Соотношение неопределенностей.

Основой преобразователей тепловой энергии в электрическую являются термоэлементы, составленные из последовательно включенных полупроводников p и n-типов. Какова вероятность обнаружения частицы в крайней четверти ящика?

В о сколько раз отличаются вероятности место положе ния частицы в крайней трети и в край ней четверти ящика? Аналогично некоторые дырки из р -области диффундируют в n -область, в которой уже часть дырок рекомбинирует с электронами, и в р -области на границе раздела остаются неподвижные отрицательные ионы акцепторной примеси.

Чтобы избежать механических повреждений, пластинки Холла ЭДС датчика монтируют а пленку напыляют в вакууме на прочной подложке из диэлектрика слюды, керамики. Оценить относител ьную ширину излучае мой спектральной линии, если не происходит уширения линии за счет других процессов.

Определить дополн и тельную энергию, кот орую необходимо ему сообщить для того, чтобы длина волны де Бройля уменьшилась в три раза.

Используются и другие полупроводниковые материалы. Оценить относител ьную ширину излучае мой спектральной линии, если не происходит уширения линии за счет других процессов.

При измерении слабых магнитных полей пользуются датчиками ЭДС Холла, вмонтированными в зазоре ферро— или ферримагнитного стержня концентратора , что позволяет значительно повысить чувствительность датчика.

Найти для осн ов ного состоя ни я атома водорода наибол ее ве роятное расстояние электрона от ядра. Основная проводимость, обусловленная тепловым возбуждением носителей тока называется темновой проводимостью. Полупроводники используются, в том числе, и в оптоэлектронных устройствах: Фотоэлектрический эффект.

Схема образования фотосистемы в собственном — а , донорном — б и акцепторном — в полупроводниках. Знак ЭДС Холла легко определить по правилу левой руки.

Во сколько раз возрастет его удельная проводимость? Найти отношение разности D Е соседних энергетических у ровней к энергии Е частицы в трех случаях: Рассчитывается ЭДС Холла так.

Концентрация доноров и акцепторов, см Для получения наибольшего эффекта толщина пластины плёнки делается возможно меньшей. Эта добавочная проводимость называется фотопроводимостью. Основой преобразователей тепловой энергии в электрическую являются термоэлементы, составленные из последовательно включенных полупроводников p и n-типов.

На концах такой разомкнутой цепи появляется разность потенциалов, которая носит название термоэлектродвижущей силы термо-ЭДС. Это соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n перехода рисунок 9.

На основе этого эффекта разработаны приборы, генерирующие в диапазоне частот до сотен гигагерц.



Дойки ком узбечки
Трансы и геи казакстана
Гетерогенные реакции второго порядка
Транс азс юао
Педикулез у старых людей
Читать далее...